特許
J-GLOBAL ID：200903083245733982
RF電力増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116582
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299944
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】TDMA信号等のオンオフRF信号をGaAs電界効果トランジスタ(FET)を用いて高い電力効率でしかも信号歪み少なく増幅する。【構成】このRF増幅器は、前段のFET1はもとより、後段のFET2もA級増幅動作のアイドリング電流を設定される。高RF信号動作時にFET2と負荷(図示せず)とが電力整合するように,即ち高RF信号動作時のFET2の動インピーダンスと上記負荷のインピーダンスとがインピーダンス整合するように、FET2のドレインに接続される出力LPF5のインピーダンスを高利得動作時のインピーダンスより高く設定する。また、FET1および2のドレインバイアスVD をRF信号入力のオンオフに同期して制御回路1によりオンオフする。
請求項（抜粋）：
ゲート電極に加えられた無線周波数信号を増幅してドレイン電極から出力するGaAs電界効果トランジスタと、前記GaAs電界効果トランジスタのドレイン電極にドレインバイアスを供給するドレインバイアス供給手段と、前記GaAs電界効果トランジスタのゲート電極にゲートバイアスを供給するゲートバイアス供給手段と、負荷が接続されるRF信号出力端子と前記ドレイン電極との間に配置され前記GaAs電界効果トランジスタと前記負荷との電力整合を取る出力低域通過ろ波器とを備えるRF電力増幅器において、前記GaAs電界効果トランジスタが、前記ドレインバイアス供給手段と前記ゲートバイアス供給手段とによりA級増幅動作のアイドリング電流を設定されており、前記出力低域通過ろ波器のインピーダンスが、このRF電力増幅器の規定出力時において、このRF増幅器にほぼ最大利得を与えるインピーダンスより高く設定されており、前記RF電力増幅器が、さらに、前記ドレインバイアス供給手段への前記ドレインバイアスの供給を前記無線周波数信号のオンオフに同期させてオンオフするバイアス供給制御手段を備えることを特徴とするRF電力増幅器。
IPC (5件)：
H03F 3/193
, H03F 1/02
, H03F 3/20
, H04B 1/04
, H04J 3/00
