特許

J-GLOBAL ID：200903083248500610

タングステンプラグの形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-151661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003171
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板上に安定したTiN/TiSixの2層構造を形成してタングステンプラグを形成する方法を提供する。【構成】コンタクトホール3の内面と層間絶縁膜2上にチタン層7を形成した後、熱処理を行なうことによって上記コンタクトホール3の底部にチタンシリサイド膜を形成する工程、未反応チタン層を除去する工程、全露出面に密着層としての窒化チタン膜9を形成した後、窒素含有雰囲気中で熱処理する工程、上記コンタクトホール3内にのみタングステンを埋め込む工程を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記シリコン基板に達するコンタクトホールを形成する工程、前記コンタクトホール内面及び前記層間絶縁膜上にチタン層を形成した後、熱処理を行なうことによって前記コンタクトホール底部にチタンシリサイド(TiSix)膜を形成する工程、前記コンタクトホール側壁及び層間絶縁膜上のチタン層を除去する工程、全露出面に密着層としての窒化チタン膜を形成した後、窒素含有雰囲気中で熱処理する工程、前記コンタクトホール内にのみタングステンを埋め込む工程、を含むことを特徴とするタングステンプラグの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90