特許

J-GLOBAL ID：200903083249976111

窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法

発明者： 古川 勝紀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-209045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044399
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体バルク結晶成長に関し、工業的規模で使用可能な制御性・成長速度を結晶性・電気的特性に優れたバルク結晶を得るための結晶成長方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶成長において窒素雰囲気の加圧を用いた溶液からの窒化ガリウム系化合物半導体の高圧結晶成長において、GaN結晶を種結晶として用い、成長初期に低い過飽和度条件、その後過飽和度を上げて成長する2段階成長を行う。これにより、上記課題が解決される。

請求項（抜粋）：

加圧窒素雰囲気中のガリウム溶液からの窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-xN(0≦x≦1))の結晶成長であって、窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-xN(0≦x≦1))を種結晶として用い、前記種結晶上に窒化ガリウム系化合物半導体を所定の圧力、所定の温度で成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C01B 21/06 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  C01B 21/06 M ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077DA01 ,  4G077DB08 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077EC07 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EG02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  5F041AA11 ,  5F041AA31 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA76