特許
J-GLOBAL ID：200903083250077724
高密度バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326886
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144823
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェハー上のパッド部に導電回路のバンプを容易に高密度に形成でき、またバンプのばらつきが少なくしかも工程を短縮できて能率良く安価にバンプを形成でき、さらに弾性変形が可能で、ガラスエポキシのプリント基板にウェハーのチップを実装した後熱膨張、収縮に伴う歪の吸収が可能で、剪断による破断も抑制でき、長寿命化を達成できるという高密度バンプを形成する方法を提供する。【構成】 ウェハー1上の各チップの周辺に配設された多数のパッド部3の外側又は内側付近に感光性ポリイミドにより断面枕木状のバンプ高さのクッション部6を形成し、次にウェハー全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングを行い各パッド部3の表面からクッション部6の表面まで導電回路10を形成する高密度バンプ11形成方法。
請求項（抜粋）：
ウェハー上の各チップの周辺に配設された多数のパッド部の外側又は内側付近に、感光性ポリイミドにより断面枕木状のバンプ高さのクッション部を形成し、次にウェハー全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングして各パッド部の表面からクッション部の表面まで導電回路を形成してバンプを得ることを特徴とする高密度バンプ形成方法。
IPC (2件)：
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