拡散装置とこれを用いた半導体結晶への不純物拡散法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351948
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150075
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体結晶ウエーハに不純物元素を拡散する装置で石英アンプルを使用することなく試料と拡散源を省力化して装着し、再現性よく高性能な拡散層を形成する。【解決手段】半導体結晶ウエーハ22と拡散源23を拡散装置に配置しこれ全体を石英製蓋21で覆う構造で拡散(熱処理)する。石英製蓋21と装置部基準面26との接触部は全面にわたって線接触である構造がとられ、接触部を外部から加圧することで拡散時の内部圧力を外部に漏らさなくする。拡散工程で加熱と冷却が急速に行えるよう加熱部と試料拡散部20は可動できる。石英製蓋で試料や拡散源を覆う構造なので拡散の準備工程を省力化し低コスト化ができる。石英製蓋や拡散治具が繰り返し使えるので低いランニングコストで拡散できる。試料と拡散源を十分離して配置し、最適な温度プロファイルで急熱急冷の温度変化で拡散できるので高性能な拡散層を形成できる。

請求項（抜粋）：

拡散装置において、被拡散試料と拡散源を覆うように一個以上の蓋によって封止をして拡散を行うことを特徴とした拡散装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 , H01L 21/22 511 , H01L 21/223

FI (3件)：

H01L 21/22 C , H01L 21/22 511 H , H01L 21/223

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭53-084582
特開昭61-294814

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