特許

J-GLOBAL ID：200903083253407997

シリコン基体の加工方法及び該シリコン基体を用いたインクジェットヘッド及びその製造方法

発明者： 田中 誠 ,  太田 英一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 高野 明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-001515
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】 静電型インクジェットヘッドにおいて、シール性の高い共通液室、インク流路の形成を可能にし、且つ、ヘッド裏面からのインク供給を可能にして実装性を容易にする。【解決手段】 シリコン基板1と熱酸化3したシリコン基板2を500〜1000°Cなる低温下で直接接合した後(図1(A))、ウェットエッチングのマスク層36を形成する(図1(B))。予め熱酸化膜3がついていたシリコン基板2側のマスク層をパターニングし、KOH等の高濃度アルカリ液にてシリコン基板2に貫通穴52を開口する(図1(C))。その際、熱酸化膜3が貫通穴52のエンドポイントとして働くが、その部分は熱酸化の界面であるため、シール性がよくサイドエッチ等が入ることはない。次に、シリコン基板1側のマスク層をKOH等の高濃度アルカリ液にてシリコン基板1に貫通用パターン12を開口する(図1(D))。次に、酸化膜を沸酸にてウェット除去して貫通口を得る(図1(E))。

請求項（抜粋）：

予め熱酸化膜が形成されたシリコン基板と熱酸化膜が形成されていないシリコン基板とを前記熱酸化膜を介して接合されているシリコン基体に、双方側から前記シリコン基体をウエットエッチングにて開口して貫通穴を形成するシリコン基体の加工方法であって、前記シリコン基体が500〜1000°C程度の低温下での熱焼成にて接合形成されている場合のシリコン基体の加工方法において、前記接合前に予め熱酸化膜が形成されていた側のシリコン基板に、他のシリコン基板より先に前記貫通穴を形成することを特徴とするシリコン基体の加工方法。

IPC (4件)：

B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 21/306 B

Fターム (22件)：

2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG14 ,  2C057AG54 ,  2C057AP02 ,  2C057AP13 ,  2C057AP14 ,  2C057AP32 ,  2C057AP33 ,  2C057AP34 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA15 ,  5F043AA02 ,  5F043AA31 ,  5F043BB02 ,  5F043BB22 ,  5F043DD01 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF06 ,  5F043GG10