特許

J-GLOBAL ID：200903083253715462

光メモリ素子と、それを用いた電子写真感光体、エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示素子、および空間光変調素子

発明者： 本間 寿一 ,  横山 正明
出願人/特許権者： 三田工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-312439
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152679
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 光メモリ機能を有し、かつ電子写真感光体、EL素子、液晶表示素子および空間光変調素子に組み込んで使用した際に、従来のような種々の問題を生じるおそれのない新規な光メモリ素子と、それを用いた上記の各素子とを提供する。【解決手段】 光メモリ素子は、一般式(1) で表されるジアリールエテン化合物および/または一般式(2) で表されるジアリールエテン化合物を含む光メモリ層を有する。電子写真感光体、EL素子、液晶表示素子および空間光変調素子は、それぞれ上記の光メモリ層を含む。【化1】〔両式中の各符号は明細書に記載のとおり。〕

請求項（抜粋）：

一般式(1) :【化1】〔式中、X1 、X2 、X3 およびX4 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基またはスルホン酸基を示し、R1 およびR2 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、スルホン酸基または置換基を有してもよいシリル基を示す。Z1 は>CF2 基または酸素原子を示し、Z2およびZ3 は同一または異なって、>CF2 基または>C=O基を示す。mおよびnは同一または異なって0以上の整数を示す。〕で表されるジアリールエテン化合物、および一般式(2) :【化2】〔式中、X5 、X6 、X7 およびX8 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基またはスルホン酸基を示し、R3 およびR4 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、スルホン酸基または置換基を有してもよいシリル基を示す。Z4 は>CF2 基または酸素原子を示し、Z5およびZ6 は同一または異なって、>CF2 基または>C=O基を示す。pおよびqは同一または異なって0以上の整数を示す。〕で表されるジアリールエテン化合物のうちの少なくとも一方を含有する層を備え、この層が、上記ジアリールエテン化合物の、光照射による異性化にともなうイオン化ポテンシャルの変化による、当該層への電荷注入挙動の違いを利用して、電荷注入可能状態である高導電状態と、電荷注入阻止状態である低導電状態のいずれかを維持しつつ電荷の注入を制御することを特徴とする光メモリ素子。

IPC (4件)：

C09K 11/06 ,  G02F 1/135 ,  G03G 5/04 ,  C09K 9/02

FI (4件)：

C09K 11/06 Z ,  G02F 1/135 ,  G03G 5/04 ,  C09K 9/02 B