特許
J-GLOBAL ID:200903083262258112

半導体レーザの光出力制御回路

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-275447
公開番号(公開出願番号):特開2004-111827
出願日: 2002年09月20日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】バーストモードでも半導体レーザに供給する変調電流とバイアス電流とをそれぞれ周囲温度に対応して変化させることができて、光出力レベルを周囲温度の如何に関わらず常に一定にする。【解決手段】変調電流とバイアス電流とが供給される半導体レーザ1と、入力された変調信号に基づいて変調電流を供給する変調電流供給手段2と、バイアス電流を供給するバイアス電流供給手段3とを備え、変調電流供給手段2には周囲温度の上昇にともなって変調電流を増加させるための第一の温度補正手段21を設け、バイアス電流供給手段3には周囲温度の上昇にともなってバイアス電流を増加させるための第二の温度補正回路31を設けた。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
変調電流とバイアス電流とが供給される半導体レーザと、入力された変調信号に基づいて前記変調電流を供給する変調電流供給手段と、前記バイアス電流を供給するバイアス電流供給手段とを備え、前記変調電流供給手段には周囲温度の上昇にともなって前記変調電流を増加させるための第一の温度補正手段を設け、前記バイアス電流供給手段には前記周囲温度の上昇にともなって前記バイアス電流を増加させるための第二の温度補正回路を設けたことを特徴とする半導体レーザの光出力制御回路。
IPC (3件):
H01S5/068 ,  B41J2/44 ,  H01S5/062
FI (3件):
H01S5/068 ,  H01S5/062 ,  B41J3/00 D
Fターム (9件):
2C362AA03 ,  2C362AA46 ,  2C362AA55 ,  2C362AA61 ,  5F073BA02 ,  5F073EA13 ,  5F073GA15 ,  5F073GA24 ,  5F073GA38
引用特許:
審査官引用 (3件)

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