特許

J-GLOBAL ID：200903083263358706

半導体発光装置

発明者： 今泉 昌之 ,  大塚 健一 ,  森下 義隆 ,  吉安 一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029654
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 電極金属と化合物半導体とを低抵抗で均一な接触抵抗分布をもつ接合部で接合することにより、従来よりも発光効率が高く、信頼性・再現性ともにすぐれた半導体発光装置を実現する。【構成】 II-VI族化合物半導体薄膜上に、II族としてHgを、IV族としてPb、Snを、VI族としてS、Se、Teを用いたII-VI族化合物、IV-VI族化合物、あるいはこれらを混合した薄膜を形成させ、その上に金を含む合金を被着させる。【効果】 金属と禁制帯幅の広い半導体材料との間に禁制帯幅の小さいII-VI族化合物半導体、IV-VI族化合物半導体を形成することによって、低抵抗でその分布の均一性の高い、電気的に良好な接合部を再現性よく形成することができる。

請求項（抜粋）：

ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdS、CdTeからなるp型II-VI族化合物半導体結晶上にII族としてHg、IV族としてPb、Sn、VI族としてS、Se、Teを用いて作られるII-VI族化合物およびIV-VI族化合物を含む層を積層し、その上に金属を被着した構造を持つことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/46