特許
J-GLOBAL ID:200903083267332108
セラミック基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-342256
公開番号(公開出願番号):特開平9-186426
出願日: 1995年12月28日
公開日(公表日): 1997年07月15日
要約:
【要約】【課題】幅の広い端面電極の形成が困難であり、種々の形状の端面電極を形成することができなかった。【解決手段】絶縁層材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダを含有するスリップ材を薄層化して絶縁層成形体を形成する工程と、絶縁層成形体の表面に露光処理を施す工程と、露光処理を施した絶縁層成形体を現像処理して環状の端面電極用貫通溝を形成する工程と、端面電極用貫通溝内に導電性ペーストを充填する工程と、絶縁層成形体の表面に導電性ペーストを印刷して内部配線パターンを形成する工程と、絶縁層成形体を積層する工程と、積層成形体に分割溝を環状の端面電極用貫通溝の内側の柱状体を通過するように形成する工程と、積層成形体を焼成する工程とを具備する方法である。
請求項(抜粋):
セラミックスからなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、前記絶縁層間に形成された内部配線とを備えてなり、前記絶縁基体に形成された分割溝で分割した際にそれぞれが複数の端面電極を有する分割回路基板となるセラミック基板の製造方法において、セラミックスからなる絶縁層材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、該絶縁層成形体の表面に少なくとも前記端面電極の形成位置を除いて露光処理を施し、硬化させる工程と、露光処理後の前記絶縁層成形体を現像処理して、端面電極を形成する位置に環状の端面電極用貫通溝を形成する工程と、該端面電極用貫通溝内に導電性ペーストを充填する工程と、前記絶縁層成形体の表面に導電性ペーストを印刷して内部配線パターンを形成する工程と、前記端面電極用貫通溝内に導電性ペーストを充填した前記絶縁層成形体に露光処理前の絶縁層成形体を積層する工程と、露光処理から積層までの工程を繰り返して形成された積層成形体に、前記分割回路基板毎に分割するための分割溝を前記環状の端面電極用貫通溝の内側の柱状体を通過するように形成する工程と、該分割溝が形成された積層成形体を焼成する工程とを具備してなることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/00
, H05K 3/40
, H05K 3/46
FI (5件):
H05K 3/00 X
, H05K 3/40 D
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
, H05K 3/46 X
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