特許
J-GLOBAL ID：200903083272756358
イオンプレーティング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 健 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300095
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131222
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】 高密度な薄膜のワイド化を達成する。【解決手段】 イオンプレーティング装置1においては、真空槽2内の上部に、電極板3および薄膜形成用基板4が、その電極板3を上側にして配設される。真空槽2内の下部に蒸着用材料16が配設される。電極板3と蒸着用材料16とを電気的に接続すると共に薄膜形成過程では電極板3に負の自己バイアスを誘起させる高周波電源設備19が備えられている。電極板3と基板4とは電気的に絶縁され、基板4は、電極板3の負の自己バイアスが反映される範囲内に配設される。
請求項（抜粋）：
真空槽(2)内の上部に、電極板(3)および薄膜形成用基板(4)を、その電極板(3)が上側となるように配設し、また前記真空槽(2)内の下部に蒸着用材料(16)を配設し、前記電極板(3)と前記蒸着用材料(16)とを電気的に接続すると共に薄膜形成過程では前記電極板(3)に負の自己バイアスを誘起させる高周波電源設備(19)を備えたイオンプレーティング装置において、前記電極板(3)と前記基板(4)とを電気的に絶縁し、前記基板(4)を、前記電極板(3)の負の自己バイアスが反映される範囲内に配設したことを特徴とするイオンプレーティング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/32
, C30B 23/08
, H01L 21/203
C23C 14/32 B
, C30B 23/08 M
, H01L 21/203 M
