特許
J-GLOBAL ID:200903083272937212
スルーホール形成導電性組成物用銅粉
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 孝夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-051223
公開番号(公開出願番号):特開平7-233403
出願日: 1994年02月24日
公開日(公表日): 1995年09月05日
要約:
【要約】【構成】 タップ密度≧3.5g/cm3、比表面積≦0.45m2/g、JISフルイ330メッシュ(45μm)を100%通過する粒度分布、JIS K5101法で吸油量≦30ml/100g、JPMA法で水素還元減量≦0.3%であり、その表面が有機ジルコニウム化合物と脂肪酸化合物で被覆されてなるスルーホール形成導電性組成物用銅粉。【効果】 本発明の銅粉は、タップ密度、比表面積、粒度分布、吸油量及び水素還元減量を特定範囲に限定すると共にその表面を有機ジルコニウム化合物と脂肪酸化合物で被覆したため、これを用いたスルーホール形成導電性組成物はスルーホール部分の導電性、耐熱性、耐湿性、銅箔部分との密着性、チクソ性そして銅粉沈降分離阻止性の改善と向上が図れ、結果的に銅メッキ、銀ペーストの主要欠点特性を補い、銅系導電性組成物での両面基板のスルーホール形成を可能とするものである。
請求項(抜粋):
タップ密度≧3.5g/cm3、比表面積≦0.45m2/g、JISフルイ330メッシュ(45μm)を100%通過する粒度分布、JIS K 5101法で吸油量≦30ml/100g、JPMA法で水素還元減量≦0.3%であり、その表面が有機ジルコニウム化合物と脂肪酸化合物で被覆されてなるスルーホール形成導電性組成物用銅粉。
IPC (4件):
B22F 1/02
, C09C 3/08 PBU
, C09D 5/24 PQW
, H01B 1/00
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