特許
J-GLOBAL ID：200903083274684001
トランス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163235
出願日： 1987年03月03日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 磁性材料の高周波域(〜MHz 域)における高透磁率化および低鉄損化を図り、これによって例えば電源の高周波化に対応させることを可能にしたトランスを提供する。【構成】 一般式:(Co1-a Aa )100-b X b(式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合には 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す)で実質的に表されるアモルファス合金からなり、かつピンホ-ル等が少ない良好な状態を維持した上で、板厚を10μm 以下と薄くした軟磁性合金薄帯の巻回体または積層体を具備するトランスである。
請求項（抜粋）：
一般式:(Co1-a Aa )100-b X b(式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合には 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す)で実質的に表されるアモルファス合金からなり、かつ板厚が10μm 以下の軟磁性合金薄帯の巻回体または積層体を具備することを特徴とするトランス。
IPC (4件)：
H01F 1/153
, C22C 19/07
, C22C 45/04
, H01F 27/24
H01F 1/14 C
, H01F 27/24 C
