特許

J-GLOBAL ID：200903083277401000

プラズマエッチング用電極

発明者： 斉藤 一夫 ,  石松 毅志
出願人/特許権者： 日清紡績株式会社
代理人 (1件)： 小林 雅人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350446
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177076
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 従来技術の難点を解決し、純度や化学的安定性等の特性と、組織破壊等が発生しないという実用的性能とを共に備えるプラズマエッチング用電極を提供することを目的とする。【構成】 本発明プラズマエッチング用電極の構成は、シリコン単結晶からなることを特徴とするか、或いは、多数の貫通小孔を有するシリコン単結晶からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-073936
  
• 特開昭62-085430
  
• 特開平2-020018