半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021378
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】段差被覆性に優れ、製造プロセスの低温化に好適な、ボロンを含有するシリコン膜の製造方法を提供する。【構成】ジシラン(Si2H6)もしくはトリシラン(Si3H6)のいずれか一方とジボラン(B2H6)を用い、200以上400°Cより低い温度での減圧CVD法により、ボロンを含有した非晶質Si膜を堆積する。【効果】段差被覆性が極めて良好な、ボロンを含有するSi膜を形成することができる。得られたSi膜を拡散源として用いることにより、極めて浅い接合が形成できる。

請求項（抜粋）：

ジシランおよびトリシランなる群から選択された少なくとも一つとジボランを反応容器内に導入し、圧力1気圧以下、温度200°C以上400°Cより低いという条件の化学気相蒸着法によって、上記反応容器内に置かれた基板の表面上に、ボロンを含む非晶質シリコン膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (11件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 21/225 , H01L 21/28 , H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (5件)：

H01L 21/82 W , H01L 21/88 B , H01L 29/72 , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭62-224922
特開昭62-177980
特開平1-149420

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