半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116295
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160368
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】高集積化に支承を来すことなく、素子のパターン形状のばらつき、ノイズマージン等に対し、読み出し及び書き込み動作の安定性を向上した半導体記憶装置を提供する。【構成】シリコン基板1上に形成されたトランスファMOSトランジスタのゲート酸化膜8の膜厚がドライブMOSトランジスタのゲート酸化膜4の膜厚より厚い構造を有する。

請求項（抜粋）：

負荷部と駆動トランジスタとからなるインバータを有し、この一対のインバータの出力が互いに他のインバータの入力になっているメモリセルの記憶ノードがスイッチングトランジスタを介してビット線に接続され、当該スイッチングトランジスタのゲートがワード線に接続されてなる半導体記憶装置において、前記スイッチングトランジスタのゲート酸化膜の膜厚は、前記インバータの駆動トランジスタのゲート酸化膜の膜厚より厚いことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-304769
特開昭63-129659
特開昭63-052471

全件表示

前のページに戻る