特許

J-GLOBAL ID：200903083288600765

半導体製造装置

発明者： 加治 哲徳 ,  小川 芳文 ,  藤井 敬 ,  川原 博宜 ,  西海 正治 ,  西原 伴良 ,  田端 博幸 ,  梅本 強志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206421
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053103
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置に設置されたマスフローコントローラの流量特性を自動的に校正するため、1個もしくは複数個の校正用マスフローコントローラを設け、測定用マスフローコントローラと校正用マスフローコントローラとを直列に接続する配管系をもたせ、反応性の弱いガスを流す。【構成】プロセス用ガス源1-1、開閉弁8-11、マスフローコントローラ2-1、開閉弁9-1、開閉弁10を経由して処理室3に至るプロセスガス系とは別に、流量校正用ガス源1-0、開閉弁8-011,8-012、校正用マスフローコントローラ2-01,2-02、開閉弁8-10を経由してマスフローコントローラ2-1の入力部に至る配管を有すると共に、開閉弁9-1と開閉弁10との間から開閉弁11を経由して排気装置4にて排気する配管を有する。

請求項（抜粋）：

第1のガス供給源から第1の開閉弁を経由して第1のガス流量制御器の入力部に至り、第1のガス流量制御器の出力部より第2の開閉弁および第3の開閉弁を経由して処理室に至り、かつ第2の開閉弁と第3の開閉弁の間から第4の開閉弁を経由して排気装置に至る配管系を有する半導体製造装置において、第2のガス供給源から第5の開閉弁を経由して第2のガス流量制御器の入力部に至り、第2のガス流量制御器の出力部より第6の開閉弁を経由して第1のガス流量制御器の入力部に至る配管系を具備したことを特徴とする半導体製造装置。