特許

J-GLOBAL ID：200903083290344105

半導体ウエーハの製造方法

発明者： 久 富 清 志 ,  岩 渕 真三郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013388
出願日： 1982年09月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 チッ化シリコン、ポリシリコン等の蒸着に際して、ベベル面にデンドライト結晶が生じてしまうことがなく、しかもキャリア、操作治具、石英等とベベル面とが接触しても、Siクズ、SiN、SiO2 等のクズが発生してしまうことがないようにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製造できるようにした製造方法を提供する。【構成】 単結晶半導体棒1から薄片を切離して半導体ウェーハ2を作り出すスライス工程と、半導体ウェーハ2のエッジ部にベベル加工を施してベベル面2cを形成するベベル工程と、半導体ウェーハ2の表裏両面2a,2bを研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面2cにエッチングを施すエッチング工程と、少なくとベベル面2cを研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ工程とを経ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体棒から薄片を切離して半導体ウェーハを作り出すスライス工程と、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加工を施してベベル面を形成するベベル工程と、半導体ウェーハの表裏両面を研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面にエッチングを施すエッチング工程と、少なくともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ工程とを経ることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-032638
  
• 特開昭55-121643
  
• 特公昭52-018433