特許
J-GLOBAL ID：200903083295122623
非晶質薄膜結晶化方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033931
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236440
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 結晶化の程度をその場観察できる非晶質薄膜の結晶化方法および装置に関し、非晶質薄膜の結晶化の程度を簡便かつ容易に検出することのできる非晶質薄膜結晶化方法および装置を提供することを目的とする。【構成】 非晶質材料と結晶質材料とは、同一物質であってもその光吸収特性が異なる。たとえば、非晶質シリコンと結晶質シリコンのバンド端近傍の吸収係数は、大きく異なる。非晶質薄膜が結晶化すると、光透過率が大きく変化することになる。この光透過率の変化から結晶化の程度を評価することができる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に堆積した非晶質の薄膜の結晶化を行なう結晶化工程と、前記薄膜と透明基板を通してモニタ光を透過させ、光透過率を測定するモニタ工程と、前記光透過率の変化から結晶化の程度を判断する評価工程とを有する非晶質薄膜結晶化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
