特許

J-GLOBAL ID：200903083296428432

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037139
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 リード接続部の信頼性の向上をはかる。【構成】 非酸化性雰囲気中でAl系よりなる第1の金属層11と、Au,Cu,Sn,Sn-Zn合金の中から選ばれた1種以上の金属の系よりなる第2の金属層12とを連続的に堆積してボンディングパッド部15を形成し、第1及び第2の金属の共晶温度よりも低い温度において熱処理を行って第1及び第2の金属層との境界に固溶体合金層を形成する。

請求項（抜粋）：

非酸化性雰囲気中で半導体基板上にAl系よりなる第1の金属層と、Au,Ag,Cu,Sn,Sn-Pb合金の中から選ばれた1種以上の金属の系よりなる第2の金属層とを連続的に堆積し、該第1及び第2の両金属層の共晶温度よりも低い温度において熱処理を行って該第1及び第2の両金属層の界面に固溶体合金層を形成してボンディングパッド部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205