特許

J-GLOBAL ID：200903083300602345

CMP研磨剤および基板の研磨方法

発明者： 大森 義和
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209076
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な研磨剤、基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 酸化膜脆弱化剤、酸化セリウム粒子および水を含むCMP研磨剤。

請求項（抜粋）：

酸化膜脆弱化剤、酸化セリウム粒子および水を含むCMP研磨剤。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17