特許
J-GLOBAL ID：200903083301322869
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371756
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189314
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 オキシナイトライド膜中の窒素濃度プロファイルを自由に制御できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にHTO膜が形成される。次に、反応管内のガス置換が行われた後、HTO膜が窒化処理される。次に、反応管内のガス置換が行われた後、再酸化が行われる。その後、反応管内のガス置換が行われる。以上の製造工程を1サイクルとし、この1サイクルがオキシナイトライド膜の所望の膜厚が得られるまで繰り返される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にHTO膜を形成するHTO膜の形成工程と、前記HTO膜を窒化処理する窒化処理工程と、前記HTO膜の形成工程及び前記窒化処理工程を1サイクルとし、この1サイクルを複数回繰り返すことによりオキシナイトライド膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (14件)：
5F058BA20
, 5F058BC11
, 5F058BD04
, 5F058BD15
, 5F058BF04
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BF55
, 5F058BF60
, 5F058BF64
, 5F058BJ01
, 5F058BJ10
