特許
J-GLOBAL ID：200903083306513778
圧電/電歪膜型素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318745
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 圧電/電歪膜型素子の圧電/電歪作動部における電極膜と圧電/電歪膜との間の接合性を高めて、素子の信頼性や寿命を改善する。また、熱処理時に圧電/電歪膜に掛かる応力を低減して、素子の特性を向上させ、更にはクラック等の欠陥の発生を防止する。【構成】 薄肉のセラミック基板10と、膜形成手法により順次積層して設けられた下部電極膜12、圧電/電歪膜14及び上部電極膜16からなる圧電/電歪作動部18とを備え、それらが熱処理によって一体化されてなる圧電/電歪膜型素子において、前記電極膜のうちの少なくとも下部電極膜の表面を、Rmax で表わされる表面粗さで3μm〜14μmの範囲となり且つRaで表わされる表面粗さにおいて2μm以下となるように、形成した。
請求項（抜粋）：
薄肉のセラミック基板と、該セラミック基板上に膜形成手法により順次積層されて設けられた下部電極膜、圧電/電歪膜および上部電極膜からなる圧電/電歪作動部とを備え、少なくともそれら下部電極膜、圧電/電歪膜が熱処理されて一体的に形成されてなる圧電/電歪膜型素子にして、前記電極膜のうちの少なくとも前記下部電極膜の表面が、Rmax で表わされる表面粗さで3μm〜14μmの範囲となり且つRaで表わされる表面粗さにおいて2μm以下となるように、形成されていることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (2件)：
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