特許

J-GLOBAL ID：200903083314034064

半導体装置とその製造方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007638
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209411
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 P型半導体とN型半導体との間に極低濃度半導体層があり、受光素子とバイポーラTrを備えた半導体装置において、フォトダイオードの受光感度を高め、寄生容量を小さくしてその周波数特性を高めると共に、バイポーラTrのコレクタと基板との間の寄生容量を寄生サイリスタのラッチアップに対する耐性を弱めることなく小さくする。【解決手段】 極低濃度半導体層はP+ 型基板11表面上に形成された第1の層13とその上に形成され上記N型半導体22と接する第2の層15とからなる。そして、第1の層13と同じ導電型で略同じ深さの極低濃度半導体領域13の表面側に選択的に形成されたN+ 型半導体領域をコレクタ側領域とし、その上側にベース、エミッタが設けられたバイポーラトランジスタを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体と第2導電型半導体との間に第1又は第2導電型の極低濃度半導体層のある受光素子を少なくとも備えた半導体装置において、上記第1導電型半導体は少なくとも表面側が高濃度にされた第1導電型半導体基板からなり、上記極低濃度半導体層は上記第1導電型高濃度半導体基板表面上に形成された第1の層と、該第1の層上に形成され上記第2導電型半導体と接する第2の層とからなることを特徴とする半導体装置

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72