特許

J-GLOBAL ID：200903083314989412

半導体パッケージと半導体パッケージの製造方法

発明者： 須山 敏明
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053183
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 金の使用量を少なくできて、製品コストの低減が図れる半導体パッケージを提供する。【解決手段】 半導体パッケージ28の樹脂基板10a、10b、10c、10dの表面に形成された金属部位12の全面にニッケルめっき皮膜16が形成され、ニッケルめっき皮膜16の全面に金フラッシュめっき皮膜18が形成され、金属部位12の一部に形成されたボンディング部14を含む所定の領域A内の金フラッシュめっき皮膜18上に金めっき皮膜20が形成されている。

請求項（抜粋）：

樹脂基板の表面に形成された金属部位の全面にニッケルめっき皮膜が形成され、該ニッケルめっき皮膜の全面に金フラッシュめっき皮膜が形成され、前記金属部位の一部に形成されたランドもしくはボンディング部を含む所定の領域内の前記金フラッシュめっき皮膜上に金めっき皮膜が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。