特許
J-GLOBAL ID：200903083315343648
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152202
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】低温処理に対応するため低温での改質性能を向上させる。【構成】液体微量連続定量供給装置2と石英粒子4を内蔵した石英の蒸気発生容器3と蒸気結露防止を考慮した効果的な分岐筒9とによってアンモニア蒸気と高濃度のオゾンを混合して複数ノズルによって被処理面に供給し、かつ、紫外線15の照射をする。【効果】処理温度250°C以下で剥離性能の改善効果が得られた。
請求項（抜粋）：
紫外線とオゾンとアンモニアの作用によってレジストを剥離除去する工程をもつことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
