特許

J-GLOBAL ID：200903083320649852

ラブ波デバイス

発明者： 門田 道雄 ,  米田 年麿 ,  溝口 直樹
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253809
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125485
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】Ta薄膜、W薄膜によって、ラブ波励振IDT電極を形成したラブ波デバイスを提供する。【構成】(Y-X)LiNbO3 基板3上に、IDT電極4をTa薄膜またはW薄膜で形成する。

請求項（抜粋）：

YカットX伝搬のLiNbO3 基板上に、ラブ波を励振するインターディジタルトランスデューサ(以下IDTと略す)をTa薄膜で形成したラブ波デバイス。

IPC (2件)：

H03H 9/145 ,  H03H 9/25