特許
J-GLOBAL ID：200903083322420712
フォトセンサ及びフォトセンサの駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042124
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232441
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 照射光の照度を正確に検出するフォトセンサ及びフォトセンサの駆動方法を提供することを目的としている。【構成】 フォトセンサ1は絶縁性基板2上に形成され、チャネル領域4、N+拡散層5、6からなるキャリア移動層10aを有する。チャネル領域4上にはアモルファスシリコンからなるキャリア発生層10bと、電荷トラップ層11が順次形成され、これらをゲート絶縁膜12で覆っている。電荷トラップ層11上方にはゲート電極(G)13が形成され、ゲート電極(G)両側に制御電極(GC)14が一体的に形成されている。各電極の電位を調整しリセット状態にして電荷トラップ層11に電子をトラップさせた後セット状態にして光照射すると、トラップされた電子が正孔と置換され、フォトセンサ1のしきい値電圧が変化して総光量に対応したドレイン電流を得る。
請求項（抜粋）：
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するシリコン層と、前記チャネル領域上に形成され電荷トラップによるヒステリシス特性を有する電荷トラップ層と、前記チャネル領域の略中央部上に形成された透明なゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記ゲート電極の両側に形成された一対の制御電極と、を備えたことを特徴とするフォトセンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 C
, H01L 31/10 H
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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