特許

J-GLOBAL ID：200903083329402329

金属硫化物薄膜パターン形成用組成物及びその製造方法、金属硫化物薄膜パターンの形成方法並びに電子部品及び光学部品の製造方法

発明者： 曽山 信幸 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181783
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283948
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】【課題】 ゾルゲル法を利用した金属硫化物薄膜パターンの形成に当り、少ないエネルギー量の光照射により金属硫化物薄膜パターンを効率的に形成する。【解決手段】 金属アルコキシドと、ニトロベンジルアルコール誘導体、ニトロベンズアルデヒド誘導体、ニトロスチロール誘導体、ニトロアセトフェノン誘導体、ニトロアニソール誘導体又はニトロフラン誘導体を含有する金属硫化物薄膜パターン形成用組成物。この組成物を基板に塗布して光照射し、照射部の光分解反応による光照射部と非照射部との溶解度差を利用してパターニングし、得られた金属酸化物薄膜パターンを硫化処理する。【効果】 ニトロ基含有化合物は、金属アルコキシドと容易に反応して光反応性の高い金属化合物を生成する。この金属化合物は、光を吸収すると容易に分解し、元の金属アルコキシドとは溶解度が大きく異なった金属化合物を生成するため、少ない照射エネルギー量にて、大きな溶解度差が得られる。

請求項（抜粋）：

金属アルコキシドを含有し、光照射により金属硫化物薄膜パターンを形成するための組成物であって、ニトロベンジルアルコール誘導体、ニトロベンズアルデヒド誘導体、ニトロスチロール誘導体、ニトロアセトフェノン誘導体、ニトロアニソール誘導体及びニトロフラン誘導体よりなる群から選ばれる1種又は2種以上のニトロ基含有化合物を含有することを特徴とする金属硫化物薄膜パターン形成用組成物。

IPC (3件)：

C23C 18/14 ,  G03F 7/004 531 ,  C01G 9/08

FI (3件)：

C23C 18/14 ,  G03F 7/004 531 ,  C01G 9/08