特許

J-GLOBAL ID：200903083333571860

レベルシフト回路

発明者： 浅田 秀樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237587
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084259
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜トランジスタのような閾値電圧が高いトランジスタを用いても、外部信号処理回路で通常用いられている5V、3.3Vの入力信号に対し、高速に応答することができるレベルシフト回路を提供する。【解決手段】 CMOSインバータ回路をカスケードに2段接続し、そのCMOSインバータ回路の駆動電圧VDDを入力信号電圧VINよりも高くする。この回路において、初段CMOSインバータ回路のグランドレベルVSS1を負電圧に設定することにより、初段CMOSインバータ回路の閾値電圧を5V、あるいは3.3Vよりも低くすることができる。この際、2段のCMOSインバータ回路を構成しているNMOSトランジスタN1、N2と、PMOSトランジスタP1、P2のそれぞれの閾値電圧の絶対値の和は、入力信号電圧の振幅よりも大きい。

請求項（抜粋）：

カスケード接続された2段のCMOSインバータ回路からなるレベルシフト回路であって、そのCMOSインバータ回路の駆動電圧が入力信号電圧よりも高く、かつ、初段CMOSインバータ回路のグランドレベルが負電圧であることを特徴とするレベルシフト回路。

IPC (7件)：

H03K 5/02 ,  G09G 3/36 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H03K 5/151 ,  H03K 19/0185 ,  H03K 19/0948

FI (7件)：

H03K 5/02 L ,  G09G 3/36 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H03K 5/15 C ,  H03K 19/00 101 D ,  H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-122724
  
• 特開昭57-075027
  
• 特開昭62-195921