特許

J-GLOBAL ID：200903083334164134

ヘテロ接合半導体装置の製造方法およびヘテロ接合半導体装置

発明者： ナリン・クマー・パテル ,  ジェルミー・ヘンリー・バローズ
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153784
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142706
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】VMTの活性層に対して浅いオーミックコンタクトを取ること。【構成】VMT構造の一部を構成し、且つヘVMT構造の隣接層であるアンドープAlGaAsスペーサ層5とともに、急激なエネルギーバリアをもたらす界面を形成する埋込み層である活性層3に対する浅いオーミックコンタクトの形成方法において、(i)エッチングによりVMT構造にヴィア27を開口して、活性層3を露出させる工程と、(ii)ヴィア27の内部にPd層、Pdを含むGe層を順次被着する工程と、(iii) アニールにより、活性層3に対するオーミックコンタクト層33を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

ヘテロ構造の一部を構成し、且つ前記ヘテロ構造の隣接層とともに、急激なエネルギーバリアをもたらす界面を形成する埋込み層に対する浅いオーミックコンタクトを形成する工程を有するヘテロ接合半導体装置の製造方法において、(i)前記ヘテロ構造の領域をエッチングして、前記埋込み層を露出させる工程と、(ii)前記埋込み層にコンタクト材料を被着する工程と、(iii) アニールにより、前記埋込み層に対するオーミックコンタクトを形成する工程とを有することを特徴とするヘテロ接合半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/80 A