特許

J-GLOBAL ID：200903083334210659

テーパ状単位セル金属酸化物半導体高電圧デバイス構造

発明者： セオドア、レタビック ,  ジョン、ペトルツェッロ ,  マーク、シンプソン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-503478
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529892
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

電界効果電子デバイス(100,600)(例えばVDMOS等のFET)は、誘電体層(104,608)に隣接して配置されたフィールドプレート(105,607)を有しており、当該フィールドプレートは、半導体層(103,602)に隣接して配置されている。この場合、デバイスのドリフト領域は半導体層中にある。ドーピングレベルはドリフト領域に亘って略非線形的に変化し、デバイスは略一定の低減された表面電界を示す。電界効果デバイスの製造方法は、デバイスの半導体層のドリフト領域に非線形で不均一なドーピング密度を与えることを含んでいる。この場合、半導体層及び誘電体層の両方が一定でない厚さを有している。誘電体層は、low-k誘電材料によって形成され得る。

請求項（抜粋）：

誘電体層上に亘って配置されたフィールドプレートと、 前記誘電体層の下側に配置された半導体層と、 前記半導体層中のドリフト領域であって、当該ドリフト領域に亘って略非線形的に変化するドーピングレベルを有するドリフト領域と、 を備え、 略一定の低減された表面電界を示すことを特徴とする電界効果電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (6件)：

H01L29/78 616T ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 616V

Fターム (29件)：

5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE08 ,  5F110EE22 ,  5F110FF12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG26 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F140AC21 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BD18 ,  5F140BF44 ,  5F140BH05 ,  5F140BH13 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140CD09