特許

J-GLOBAL ID：200903083335809732

半導体装置とその製造方法

発明者： 木下 順一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324118
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041579
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 コンストリクテッドメサ構造の埋込型半導体レーザにおいて、高電圧を加えると漏れ電流が大きくなる。また、機械的強度が弱い。【解決手段】 活性領域73の上下に中空層85、86を設けて電流を狭窄することにより漏れ電流を小さくする。さらに、中空層85を貫通する柱89と中空層86を貫通する柱84を交互に配置することで漏れ電流の増加を抑えつつ、機械的強度を増大させる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層と、前記活性層の周囲を埋め込む埋込層と、前記埋込層の外側に設けられ、かつ前記第1のクラッド層上に設けられた第1の中空層と、前記第1の中空層上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた第2の中空層と、前記第2の中空層上に形成された第2の半導体層とを具備することを特徴とする半導体装置。