特許

J-GLOBAL ID：200903083336037113

封止用樹脂組成物及び半導体封止装置

発明者： 小久保 正典 ,  沢井 和弘
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025254
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【構成】 (A)オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、(B)多官能ナフトール樹脂、硬化促進剤として(C)トリス(オルト・パラ電子供与基置換フェニル)ホスフィン、及び充填剤として(D)シリカ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを 0.01 〜5 重量%の割合に含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物であり、またそれにより封止した半導体封止装置である。【効果】 この組成物は薄肉部の成形性に優れ、また吸湿の影響が少なく、特に半田浸漬後や半田リフロー後の耐湿性、半田耐熱性に優れているので、長期信頼性を保証できる半導体封止装置が得られる。

請求項（抜粋）：

(A)オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、(B)次の一般式で示される多官能ナフトール樹脂【化1】(但し、式中Rは水素原子又は水酸基であって、水酸基を少なくとも1 基以上有し、またn は0 又は1 以上の整数を表す)(C)次の一般式で示されるトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィン【化2】(但し式中R1 ,R2 ,R3 は電子供与基もしくは水素原子を表し、R1 ,R2 ,R3のうち少なくとも 1つは電子供与基である。)、及び(D)シリカ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを 0.01 〜5 重量%の割合に含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物。

IPC (7件)：

C08G 59/40 NJR ,  C08G 59/40 NJL ,  C08K 3/36 NKX ,  C08K 5/53 ,  C08L 63/00 NLB ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31