特許

J-GLOBAL ID：200903083340323201

レジストパターン評価方法及びパターン形成方法

発明者： 勝山 亜希子 ,  遠藤 政孝 ,  松岡 晃次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069097
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 レジストパターンの形状評価を行うに際して、特に裾部の形状について簡易的に定量的な評価を行うことの可能な手法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1に化学増幅型レジストを塗布し、レジスト膜3を形成した後、KrFエキシマレーザステッパを用いて露光4を行う。露光部にモニター光6を照射し、散乱光をモニターしながら現像処理を行うことにより、レジスト膜深さに対する溶解速度の分布を測定する。レジスト膜底部とそれ以外の点での溶解速度の比を算出することにより、レジストパターンの裾引き形状を定量化することができる。また、実際にデバイスの製造を行う場合に、パターン形成を行う前に、レジストの溶解速度を測定することにより、パターン不良を予測して、実基板に対し適切な裾引き防止のための措置をとる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を露光する工程と、前記化学増幅型レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度を測定することにより化学増幅型レジストパターン形状を予測する工程とを有するレジストパターン評価方法。

IPC (3件)：

G03F 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G03F 9/00 H ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 G