磁気抵抗効果素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098496
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299724
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子31を下部電極11上に形成された第1の絶縁膜中21の凹部21aにコリメート法で堆積形成する。第1の絶縁膜への凹部形成は、開口が形成されたハードマスクを用いた等方性エッチングにより行われる。第2の絶縁膜41で凹部21aを埋め込んだ後、第1と第2の絶縁膜を平面的にエッチバックし、磁気抵抗効果素子31のコンタクトメタルを露出させ、その上に上部電極51を形成する。

請求項（抜粋）：

下部電極の表面に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に形成され前記下部電極の表面に至る開口と、前記開口内に前記開口の側壁から離れて形成された前記下部電極に接続する磁気抵抗効果膜と、前記開口の側壁と前記磁気抵抗効果膜との間に形成された第2の絶縁層と、前記磁気抵抗効果膜に接続する上部電極とを具備してなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/30 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (8件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/30 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

Fターム (32件)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12 , 5E049DB12 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA02 , 5F083GA03 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR39 , 5F083PR40

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