特許
J-GLOBAL ID:200903083348024912

荷電粒子線露光用マスク製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-266633
公開番号(公開出願番号):特開平8-130176
出願日: 1994年10月31日
公開日(公表日): 1996年05月21日
要約:
【要約】【目的】 比較的単純な製造工程で欠陥のない荷電粒子線露光用マスクを歩留まりよく低コストで製造することができる荷電粒子線露光用マスク製造方法を提供する。【構成】 Si基板1a表面に貫通パターンとなる凹状パターン31aを形成して凹状パターン付基板1bを得、この凹状パターン形成領域を含む薄膜部形成領域の裏面から上記凹状パターン31aが底部で貫通するまでエッチングを施して表面側に貫通パターン31が設けられた薄膜部3を形成する際に、基板1bの表面及び凹状パターン31a内部並びに基板1bの側面にフッ素樹脂保護膜6を形成をことによって行なうようにし、これにより、支持枠部2に支持された薄膜部3に荷電粒子線を通過させる貫通パターン31を備えた荷電粒子線露光用マスク1を得るようにした。
請求項(抜粋):
支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子線を通過させる貫通パターンを有する荷電粒子線露光用マスクを製造する荷電粒子線露光用マスク製造方法であって、素材基板における支持枠部形成領域を除いた薄膜部形成領域の一方の面側から他方の面側に向けてエッチングを施して他方の面側に薄膜部を形成する処理を含む薄膜部形成工程と、前記薄膜部形成領域に貫通パターンとなるパターンをエッチングを含むパターン形成方法で形成する貫通パターン形成工程とを備えた荷電粒子線露光用マスク製造方法において、前記薄膜部形成工程におけるエッチングの際に、該エッチングによって除去する部位を除く他の部分を該エッチンングによる損傷から保護するために形成される保護膜を、樹脂材で構成したことを特徴とする荷電粒子線露光用マスク製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/318
FI (5件):
H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/306 A

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