特許

J-GLOBAL ID：200903083349285833

半導体装置及びその製造方法

発明者： 糸長 総一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303786
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 シリサイド膜中の結晶粒の凝集による結晶粒の粗大化,不均一化を抑制し、低抵抗で信頼性の高いシリサイド膜を形成する。【解決手段】 ゲート電極4及び高濃度ソース・ドレイン領域7上に多結晶体の第1のコバルトシリサイド膜10aを選択的に残置させる。その後、基板上にチタン膜12を堆積した後、半導体基板1に第2の短時間熱処理(RTA)を施して、第1のコバルトシリサイド膜10aの結晶粒界にチタン12aを拡散して、第2のコバルトシリサイド膜10b(Co2SiとCoSiとTiの混合体)を形成する。その後、チタン膜12及び表面のTiNを選択的に除去する。その後、第3の短時間熱処理を施して、第2のコバルトシリサイド膜10bを構造的に安定な多結晶構造の第3のコバルトシリサイド膜10c(CoSi2とTiの混合体)に変える。

請求項（抜粋）：

一部がシリサイド化された部材を備えた半導体装置の製造方法であって、基板の半導体層の上に第1の金属膜を形成する工程(a)と、第1の熱処理により、上記第1の金属膜と上記半導体層との間でシリサイド化反応を起こさせて、上記半導体層の上に多結晶構造の第1のシリサイド膜を形成する工程(b)と、上記工程(b)の後、上記第1の金属膜の未反応部を除去する工程(c)と、上記工程(c)の後、基板上に第2の金属膜を形成する工程(d)と、上記工程(d)の後、第2の熱処理により、上記第2の金属膜の金属を上記第1のシリサイド膜の結晶粒界に拡散させて第2のシリサイド膜を形成する工程(e)と、上記工程(e)の後、上記第2の金属膜を除去する工程(f)と、上記工程(f)の後、第3の熱処理により、上記第2のシリサイド膜を構造的に安定な多結晶構造の第3のシリサイド膜に変えて、該第3のシリサイド膜を上記部材の少なくとも一部とする工程(g)とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104HH16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033XX10 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BF04 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF29 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG35 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ19 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04