特許

J-GLOBAL ID：200903083354288522

バリットダイオード

発明者： 鈴木 朝実良 ,  大塚 信之 ,  水野 紘一 ,  吉井 重雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179379
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】低雑音を維持しつつ高周波特性や直流対交流電力変換効率を改善するバリットダイオードを提供すること。【解決手段】バリットダイオードを構成している材料に化合物半導体を用い、n+-InP基板301の上に順に設けられたn+-InPからなるバッファー層302、p-型InxGa1-xAsyP1-yからなるドリフト層、p+-InsGa1-sAstP1-t層かp+-InuAl1-uAsvP1-v層のうち少なくともいずれか一方の材料を含んむシートドープ層304、p-型InxGa1-xAsyP1-yからなるキャリア注入層305、n+-In0.47Ga0.53Asからなるコンタクト層306、下部電極307、上部電極308とを備えている。ドリフト層での飽和電子速度が高速化され、良好な雑音特性を維持しつつ高周波特性と出力特性とを同時かつ大幅に改善し得る。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

素子を構成している各部位がバッファ層、ドリフト層、シートドープ層、キャリア注入層、コンタクト層の積層によってなるバリットダイオードにおいて、前記各部位が化合物半導体によって構成され、各部位のバンドギャップエネルギー、伝導帯および価電子帯のバンド不連続量、不純物添加量が用途に応じた適切な値となるように設計されており、かつ各部位の膜厚をそれらの物理量に基づいた値と設定することによって構成されていることを特徴とするバリットダイオード。

IPC (1件)：

H01L29/864

FI (1件)：

H01L29/90 T