特許
J-GLOBAL ID：200903083354656637
高分子液晶成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206582
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033901
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 四分の一波長板を薄膜化して大面積のものを製造可能にする。【解決手段】 本発明にかかる高分子液晶成膜方法では、先ず配向工程を行ない透明な基板1の表面を所定の配向方向に沿って配向処理する。次に成膜工程を行ない、所定の転移点を境にして高温側のネマティック液晶相と低温側のガラス固体相との間を相転移可能な高分子液晶2を所定の膜厚で基板1上に成膜する。最後に温度処理工程を行ない、基板1を一旦転移点以上に加熱した後転移点以下の室温まで徐冷し、成膜された高分子液晶2を配向方向に整列させて一軸光学薄膜3を形成する。この一軸光学薄膜3の膜厚を制御する事で四分の一波長板の機能を付与する事ができる。
請求項（抜粋）：
透明な基板の表面を所定の配向方向に沿って配向処理する配向工程と、所定の転移点を境にして高温側のネマティック液晶相と低温側のガラス固体相との間を相転移可能な高分子液晶材料を所定の膜厚で該基板上に成膜する成膜工程と、該基板を一旦転移点以上に加熱した後転移点以下の室温まで徐冷し、成膜された高分子液晶材料を該配向方向に整列させて一軸光学薄膜を形成する温度処理工程とを行ない、該一軸光学薄膜の膜厚を制御する事で四分の一波長板の機能を付与する事を特徴とする高分子液晶成膜方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1333
, G02F 1/1337 525
, G02F 1/137 500
G02F 1/1333
, G02F 1/1337 525
, G02F 1/137 500
