特許

J-GLOBAL ID：200903083355317828

ポジ型レジスト組成物

発明者： 青合 利明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257003
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089461
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 深紫外線、特にArF エキシマレーザー光に対して、残膜率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、主鎖に脂環式基を有し且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、特定の構造の基を少なくとも2個有する化合物、分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、フッソ系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)主鎖に脂環式基を有し、且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、(C)下記一般式(I)で表される基を少なくとも2個有する化合物、(D)分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、及び(E)フッソ系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)中、R1 〜R3 は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。またR1 〜R3 の内の2つが結合して3〜8個の炭素原子あるいはヘテロ原子から成る環構造を形成してもよい。Zは-O-、-S-、-SO2-又は-NH-基を示す。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/027 ,  C08L 45/00

FI (5件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L 65/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (71件)：

2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC23 ,  2H025BE08 ,  2H025BE10 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB51 ,  2H025CC04 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BK001 ,  4J002CE001 ,  4J002CH052 ,  4J002CP032 ,  4J002CP082 ,  4J002EB107 ,  4J002EB127 ,  4J002EB147 ,  4J002ED026 ,  4J002ED057 ,  4J002EF098 ,  4J002EH049 ,  4J002EH059 ,  4J002EH136 ,  4J002EH147 ,  4J002EL106 ,  4J002EN068 ,  4J002EN118 ,  4J002EP018 ,  4J002ES007 ,  4J002ET006 ,  4J002EU008 ,  4J002EU01 ,  4J002EU018 ,  4J002EU026 ,  4J002EU028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU058 ,  4J002EU078 ,  4J002EU098 ,  4J002EU108 ,  4J002EU148 ,  4J002EU158 ,  4J002EU187 ,  4J002EU188 ,  4J002EU217 ,  4J002EV047 ,  4J002EV066 ,  4J002EV187 ,  4J002EV216 ,  4J002EV217 ,  4J002EV23 ,  4J002EV238 ,  4J002EV257 ,  4J002EV288 ,  4J002EV307 ,  4J002EV328 ,  4J002FD020 ,  4J002FD090 ,  4J002FD312 ,  4J002FD319 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05