特許

J-GLOBAL ID：200903083356651667

ドライエッチング方法

発明者： 辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210326
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066176
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 SiON(酸化窒化シリコン)反射防止膜を積層したW-ポリサイド・ゲート電極の異方性エッチングを行う。【構成】 Cl2 /O2 混合ガスを用いて反応生成物SiClx の堆積を促進できる条件でエッチングを行うか、または上記ガス組成に占めるO2 の流量比をオーバーエッチング時に低下させる。たとえエッチング途中でレジスト・マスク7の後退に伴ってSiON反射防止膜6aの肩部が露出し、ここから放出された酸素系活性種により側壁面上の炭素系ポリマーが消費されても、これによる側壁保護膜8の脆弱化を抑制でき、ゲート電極5aの異方性形状を維持することができる。【効果】 エキシマ・レーザ・リソグラフィにより線幅0.3μmクラス以下の次世代以降の微細加工を行う場合の実用プロセスを提供できる。

請求項（抜粋）：

酸素を含有する反射防止膜で表面を被覆されてなるシリコン系材料層をエッチングするドライエッチング方法において、前記反射防止膜をエッチングする工程と、フッ素系化学種以外のハロゲン系化学種と酸素系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、該ハロゲン系化学種とシリコンとの反応生成物の堆積を促進させながら前記シリコン系材料層をエッチングする工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-253256
  
• 特開平2-094520
  
• 特開昭61-179538