特許

J-GLOBAL ID：200903083358689580

バイポーラトランジスタ

発明者： 加藤 理一 ,  津田 邦男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291562
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109753
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】カットオフ周波数と最大発振周波数と間の設計トレードオフを解消し、超高速のバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【構成】真性トランジスタ領域にn+ 型GaAsコレクタ層103とn型GaAsコレクタ層105が積層形成され、その外側にi型GaAsコレクタ層104が形成され、n+ 型GaAsコレクタ層103上に一部i型GaAsコレクタ層104に延在するようにn型GaAsコレクタ層105が形成され、n型GaAsコレクタ層105上の外側にはp型GaAs外部ベース層106が形成され、n型GaAsコレクタ層105上にp+ 型Alx Ga1-x Asベース層107、さらにこの上のn型GaAsコレクタ層105の範囲内に局在してベース層107との間でヘテロ接合を構成するエミッタ層108〜112が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1導電型のコレクタ層、第2導電型のベース層および第1導電型のエミッタ層が積層されたバイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタ層は、真性トランジスタ領域に積層された高濃度の第1コレクタ層とこれより低濃度の第2コレクタ層、および第2コレクタ層の外側に形成された高抵抗の第3コレクタ層を有し、前記ベース層は、真性トランジスタ領域にある前記第2コレクタ層上から前記第3コレクタ層上に延在して形成され、前記エミッタ層は前記ベース層上の真性トランジスタ領域に局在して形成されている、ことを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-235341
  
• 特開平3-174774
  
• 特開平1-264261