特許

J-GLOBAL ID：200903083360102023

ポリキノリン樹脂誘導体を用いた絶縁膜樹脂組成物並びに半導体装置

発明者： 上島 浩一 ,  高安 礼子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032712
公開番号（公開出願番号）：特開2000-230142
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率で、低吸湿性を示し、耐熱性に優れ、膜状態の良好な被膜を形成することのできる絶縁膜樹脂組成物と、それを用いて形成される被膜が層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として形成された、耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 少なくとも1個のキノリン環、少なくとも1個のエーテル結合及び少なくとも1個のアミノ基を有するポリキノリン樹脂誘導体と、酸二無水物とを含有としてなる絶縁膜樹脂組成物;及び、この絶縁膜樹脂組成物から形成された被膜を半導体基板の層間絶縁膜又は表面保護膜として有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個のキノリン環、少なくとも1個のエーテル結合及び少なくとも1個のアミノ基を有するポリキノリン樹脂誘導体と、酸二無水物とを含有としてなる絶縁膜樹脂組成物。

IPC (4件)：

C09D 5/25 ,  C09D171/00 ,  C09D177/00 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

C09D 5/25 ,  C09D171/00 ,  C09D177/00 ,  H01L 21/312 A

Fターム (10件)：

4J038DN011 ,  4J038JA75 ,  4J038NA21 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03