特許

J-GLOBAL ID：200903083362778695

多段階スパッタ堆積

発明者： ウェイ ウォン ,  プラブラム ゴーパラジャ ,  ジャンミン フー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132189
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134733
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】基板上に膜を堆積する方法および装置を提供する。【解決手段】堆積期間に、DC電力をターゲットに印加して第1プラズマを形成し、材料がターゲットから基板上にスパッタされる。後続の形成期間中、高周波電力をターゲットに印加して基板の少なくとも一部から材料を除去する。堆積期間中、チャンバに導入されたスパッタリング作動ガスは第1圧力に維持されてよく、形成期間中、スパッタリング作動ガスの圧力は第2圧力に上昇してよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

物理気相堆積チャンバ内で基板上に膜を堆積する方法であって、 堆積期間中、DC電力をターゲットに印加してスパッタリング作動ガスから第1プラズマを形成し、該ターゲットから材料を前記基板上にスパッタするステップと、 形成期間中、前記ターゲットに印加されていた前記DC電力を除去し、高周波電力を前記ターゲットに印加して前記スパッタリング作動ガスの第2プラズマを形成することにより、前記基板の少なくとも一部から材料を除去するステップと、 を含む、前記方法。

IPC (3件)：

H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28

FI (3件)：

H01L21/285 S ,  C23C14/34 S ,  H01L21/28 301R

Fターム (20件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD41 ,  4M104DD42