特許

J-GLOBAL ID：200903083363439703

半導体積層構造及び半導体発光素子

発明者： 佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340578
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 V族元素としてNおよび少なくとも他の1種のV族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII-V族混晶半導体を有する半導体発光素子において、温度特性の良好な赤色半導体レーザ,室温において600nm以下の短波長で発振する可視半導体レーザや、高発光効率の可視発光ダイオードなどの半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Nおよび他のV族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII-V族混晶半導体の積層構造において、前記積層構造は、III族元素とV族元素とからなる単原子層を有し、単原子層としてNを含んだ少なくとも1種類の単原子層とNを含まない少なくとも1種類の単原子層とが積層されて、これらの平均の組成の混晶半導体としてなる超格子積層構造として構成されている。

請求項（抜粋）：

Nおよび他のV族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII-V族混晶半導体の積層構造において、前記積層構造は、III族元素とV族元素とからなる単原子層(mono-layer)を有し、単原子層としてNを含んだ少なくとも1種類の単原子層とNを含まない少なくとも1種類の単原子層とが積層されて、これらの平均の組成の混晶半導体としてなる超格子積層構造として構成されていることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C