特許

J-GLOBAL ID：200903083369746381

強磁性体不揮発性メモリおよびそのリフレッシュ方法

発明者： 平井 匡彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119965
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314048
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】安定に記憶情報を保持することができる強磁性体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】それぞれが第1および第2の強磁性体膜を有し、該第1および第2の強磁性体膜の磁化方向が平行である場合と、反平行である場合とで異なる電気抵抗値を示す複数の可変抵抗器r11〜r33と、周期的に、可変抵抗器r11〜r33の第1の強磁性体膜をその磁化されている方向と同じ方向に再磁化する再磁化部を有する。再磁化部は、所定の大きさの第1および第2の電流が供給され、該第1および第2の電流により生じる磁場の合成磁場によって可変抵抗器r11〜r33の第1または第2の強磁性体膜を選択的に磁化する書き込み部(BL1〜BL3およびL1〜L3)と、第1および第2の電流の上記書き込み部への供給を制御する制御部とからなる。

請求項（抜粋）：

それぞれが第1および第2の強磁性体膜を有し、該第1および第2の強磁性体膜の磁化方向が平行である場合と、反平行である場合とで異なる電気抵抗値を示す複数の可変抵抗器と、周期的に、前記複数の可変抵抗器の前記第1の強磁性体膜をその磁化されている方向と同じ方向に再磁化する再磁化手段とを有することを特徴とする強磁性体不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19