特許

J-GLOBAL ID：200903083370122499

半導体製造装置

発明者： 中村 寛子 ,  井染 敏之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-216477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031527
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハーの下層のうねりに追従し、下層と半導体ウェハー表面との間の膜厚を一定にする。【解決手段】 プレート10は、回転しながら半導体ウェハーを研磨するホイール11を複数備える。半導体ウェハー12は、回転するウェハー支持台13に固定され回転する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーを研磨する半導体製造装置において、プレートと、前記プレートに設けられ、回転しながら前記半導体ウェハーを研磨する複数のホイールと、を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 B ,  H01L 21/66 P

Fターム (19件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA11 ,  3C058AA12 ,  3C058AA14 ,  3C058AA18 ,  3C058AB01 ,  3C058AC04 ,  3C058BA01 ,  3C058BA05 ,  3C058BB04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17 ,  4M106AA01 ,  4M106BA11 ,  4M106CA47 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03