特許

J-GLOBAL ID：200903083375917511

半導体製造装置

発明者： 村岡 幸治 ,  松島 勝 ,  三木 浩史 ,  安東 隆司 ,  金子 豊 ,  宮田 敏光
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176827
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【構成】数種類の原料ガスを撹拌,混合するシャワーノズル28と基板を均等に加熱する試料台を備えた成膜室と、ロードロック室,基板の冷却室等を備え、基板の冷却を不活性ガスで伸縮する可とう性部材の先端に取り付けたブロック6への熱伝導で行わせる。【効果】成膜直後の状態保持が可能となり、膜の組成分布の品質向上となる。

請求項（抜粋）：

数種類の原料ガスを混合,撹拌するシャワーノズルを備え、基板の均一加熱試料台を持つ成膜室と、ロードロック室と、冷却室とを含む半導体製造装置において、可とう性のある部材を変形させ、前記変形部材の先端に取付けたブロックを、成膜を行った直後の基板と接触させる構造を持つことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31