特許
J-GLOBAL ID：200903083376270252
サージ防護素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 学 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036979
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】正負サージに対してそれぞれ順方向となるそれぞれ2個のダイオードを介して正負サージが一方向サイリスタTに印加されるようにして、ダイオードが一方向サイリスタの逆方向耐圧を負担するようにする。また前記一方向サイリスタが、P1 N2 P3 N4 の4層構造を有し、かつN2 層とP3 層の一部がP1 層とN4 層を貫通して表裏面に露呈され、この露呈N2 層とP3 層が表裏面においてP1 層とN4 層と共に金属電極によりそれぞれ短絡されてショートゲート構造をもつ構成とする。そしてショートゲート構造により保持電流IH を大として、遮断能力の向上を図りまたターンオン開始が一方向サイリスタのN2 P3 接合の降伏電圧のみにより決定できるようにする。【効果】従来のVBO点弧サージ防護素子のように耐圧より動作開始電圧が大となるのを防止して、防護能力の向上が図れる。
請求項（抜粋）：
P1 N2 P3 N4 (N1 P2 N3 P4 )の4層構造を有し、そのN2 (P2 )層とP3 (N3 )層の一部がP1 (N1 )とN4 (P4)層を貫通して表面と裏面にそれぞれ露呈され、かつ前記露呈N2 (P3 )層とP3 (N3 )層が、前記P1 (N1 )層とN4 (P4 )層と共にそれぞれ金属電極により短絡された構造に形成されていることを特徴とするサージ防護素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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